收藏本站
型号 SI4886DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SI4886DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4886DY-T1-GE3
标准包装 2,500
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 10 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 5V
功率 - 最大 1.56W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4888DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4890DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4892DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC